記者発表：GaN系量子ドットで世界初の室温単一光子源を実現　～量子情報処理の室温動作に道～

2014年 2月 18日 にアップロード

東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構の荒川泰彦教授，マーク・ホームズ特任研究員らは，位置を制御したGaNナノワイヤ量子ドットを開発し，室温（300K=27度C）で，単一光子の発生に世界で初めて成功しました。

この成果は，GaN系量子ドット系において室温で単一光子源の発生が可能であることを示したもので，絶対安全性が保障される量子暗号通信や飛躍的計算能力が期待される量子コンピュータなど，量子情報処理システムの室温動作に道を拓くことが期待されます。 http://www.u-tokyo.ac.jp/public/public01_260212_02_j.html

 

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